STP20NM60 | STMicroelectronics
STMicroelectronics N-Kanal MDmesh Power MOSFET, 600 V, 20 A, TO-220, STP20NM60
Bestellnr.: 30S0999
EAN: 4099879033888
HTN:
STP20NM60
Einzelpreis (€ / Stk.)
5,117 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
MOSFET, STP20NM60, STMicroelectronics
Der STP20NM60 ist eine neue, revolutionäre Power-MOSFET-Technologie, die den Multiple-Drain-Prozess mit dem horizontalen PowerMESH-Layout des Unternehmens verbindet. Das Ergebnis ist ein Produkt mit herausragend niedrigem On-Widerstand, beeindruckend hohem dv/dt und ausgezeichneten Avalanche-Eigenschaften. Die Anwendung der firmeneigenen Streifentechnik führt zu einer dynamischen Gesamtleistung, die deutlich besser ist als die vergleichbarer Konkurrenzprodukte.
Features
- Hohe dv/dt- und Lawinenfähigkeit
- Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
- Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
- Anwendungen schalten
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 600 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 290 mΩ | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Strom | 20 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |