STP20NM60 | STMicroelectronics
STMicroelectronics N-Kanal MDmesh Power MOSFET, 600 V, 20 A, TO-220, STP20NM60
Bestellnr.: 30S0999
EAN: 4099879033888
HTN:
STP20NM60
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MOSFET, STP20NM60, STMicroelectronics
Der STP20NM60 ist eine neue, revolutionäre Power-MOSFET-Technologie, die den Multiple-Drain-Prozess mit dem horizontalen PowerMESH-Layout des Unternehmens verbindet. Das Ergebnis ist ein Produkt mit herausragend niedrigem On-Widerstand, beeindruckend hohem dv/dt und ausgezeichneten Avalanche-Eigenschaften. Die Anwendung der firmeneigenen Streifentechnik führt zu einer dynamischen Gesamtleistung, die deutlich besser ist als die vergleichbarer Konkurrenzprodukte.
Features
- Hohe dv/dt- und Lawinenfähigkeit
- Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
- Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
- Anwendungen schalten
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 290 mΩ | |
| max. Spannung | 600 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Strom | 20 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |