STP12NM50FP | STMicroelectronics
STMicroelectronics N-Kanal MDmesh Power MOSFET, 500 V, 12 A, TO-220, STP12NM50FP
Bestellnr.: 30S1105
HTN:
STP12NM50FP
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MOSFET, STP12NM50FP, STMicroelectronics
Der STP12NM50FP wurde mit der revolutionären MDmesh-Technologie von STMicroelectronics entwickelt, die den Multiple-Drain-Prozess mit dem horizontalen PowerMESH-Layout des Unternehmens verbindet. Dieser Baustein bietet einen extrem niedrigen On-Widerstand, ein hohes dv/dt und hervorragende Avalanche-Eigenschaften. Durch die Verwendung der ST-eigenen Streifentechnik weisen diese Power-MOSFETs eine dynamische Gesamtleistung auf, die der ähnlicher Produkte auf dem Markt überlegen ist.
Features
- Geringe Eingangskapazität und Gate-Ladung
- Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
- Anwendungen schalten
Technische Daten
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 350 mΩ | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 500 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Strom | 12 A | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |