BDX33C | STMicroelectronics
Bipolartransistor, NPN, 10 A, 100 V, THT, TO-220, BDX33C
Einzelpreis (€ / Stk.)
1,1543 € *
Sofort verfügbar: 28 Stk.
Verfügbar in 5 Tagen: 6.200 Stk. - bei Bestellung heute
Gesamtpreis:
1,15 € *
Preisstaffel
Anzahl
Preis pro Einheit*
1 Stk.
1,1543 €
10 Stk.
0,8211 €
100 Stk.
0,7021 €
500 Stk.
0,6188 €
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
NPN transistor, BDX33C, STMicroelectronics
Dieser NPN-Leistungstransistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO-220-Kunststoffgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | NPN | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Sättigungsspannung | 2.5 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 70 W | |
| Transitfrequenz fTmin | 20 MHz | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Nennstrom | 10 A | |
| Kollektorstrom | 10 A | |
| Montage | THT |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | KR |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |