BDX33C | STMicroelectronics
Bipolartransistor, NPN, 10 A, 100 V, THT, TO-220, BDX33C
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NPN transistor, BDX33C, STMicroelectronics
Dieser NPN-Leistungstransistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO-220-Kunststoffgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.
Technische Daten
| Sättigungsspannung | 2.5 V | |
| Montage | THT | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Nennstrom | 10 A | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 20 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 70 W | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| Kollektorstrom | 10 A |
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Logistik
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |