BD239C | STMicroelectronics
Bipolartransistor, NPN, 2 A, 115 V, THT, TO-220, BD239C
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NPN-Leistungstransistor, BD239C, STMicroelectronics
Dieser Transistor zeichnet sich durch eine außergewöhnlich hohe Verstärkungsleistung in Verbindung mit einer sehr niedrigen Sättigungsspannung aus. Er ist für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Kollektorstrom | 2 A | |
| Transitfrequenz fTmin | 3 MHz | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 115 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| Min Gleichstromverstärkung | 15 mA | |
| Verlustleistung VA (AC) | 30 W | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 700 mV | |
| Nennstrom | 2 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |