IMD2AT108 | Rohm Semiconductor
Dual-Digitaltransistor, NPN/PNP, -100 mA, SMD, SOT-457, IMD2AT108
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,5712 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 2 Wochen
Dualer Digitaltransistor, IMD2AT108, Rohm Semiconductor
Bauelement mit zwei Transistoren in ultrakompaktem Gehäuse, geeignet für verschiedene Anwendungen wie Vorverstärker-Differenzverstärkerschaltung, Hochfrequenzoszillator, Treiber-IC usw.
Features
- Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
- Eingebaute Vorspannungswiderstände
- Potentialteiler
- Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse
- Pb-frei/RoHS-konform
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
max. Temperatur | 150 °C | |
Montage | SMD | |
Transitfrequenz fTmin | 250 MHz | |
Ausführung | NPN/PNP | |
Min Gleichstromverstärkung | 56 mA | |
Kollektorstrom | -100 mA | |
Gehäuse | SOT-457 | |
Verlustleistung VA (AC) | 300 mW | |
min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Zolltarifnummer | 85419000 |
Ursprungsland | PH |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
SVHC frei | Ja |