IMD16AT108 | Rohm Semiconductor
Dual-Digitaltransistor, NPN/PNP, -100 mA, 50 V, SMD, SOT-457, IMD16AT108
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,7259 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 2 Wochen
Dualer Digitaltransistor, IMD16AT108, Rohm Semiconductor
Bauelement mit zwei Transistoren in ultrakompaktem Gehäuse, geeignet für verschiedene Anwendungen wie Vorverstärker-Differenzverstärkerschaltung, Hochfrequenzoszillator, Treiber-IC usw.
Features
- Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
- Eingangswiderstandstyp
- Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage
- Pb-frei/RoHS-konform
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | NPN/PNP | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 250 MHz | |
| Gehäuse | SOT-457 | |
| Verlustleistung VA (AC) | 300 mW | |
| Kollektorstrom | -100 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| Min Gleichstromverstärkung | 82 mA | |
| Sättigungsspannung | -50 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85419000 |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| RoHS konform | Ja |