EEPROM-Speicher, N01S818HAT22I, onsemi
Das serielle SRAM-Baustein von onsemi umfasst einen integrierten Speicherbaustein mit einem seriell zugreifbaren statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM) mit einer Kapazität von 1 MB, der intern in 128 K Wörter à 8 Bit organisiert ist. Der Baustein wurde unter Verwendung der fortschrittlichen CMOS-Technologie von onsemi entwickelt und hergestellt, um sowohl eine hohe Geschwindigkeit als auch einen geringen Stromverbrauch zu gewährleisten. Der Baustein arbeitet mit einem einzigen Chip-Select-Eingang (CS) und verwendet ein einfaches SPI-Protokoll (Serial Peripheral Interface). Im SPI-Modus wird eine einzige Daten-Ein- (SI) und Daten-Aus-Leitung (SO) zusammen mit dem Takt (SCK) verwendet, um auf Daten innerhalb des Bausteins zuzugreifen. Im DUAL-Modus werden zwei multiplexierte Daten-Ein-/Daten-Aus-Leitungen (SIO0-SIO1) verwendet, und im QUAD-Modus werden vier multiplexierte Daten-Ein-/Daten-Aus-Leitungen (SIO0-SIO3) zusammen mit dem Takt verwendet, um auf den Speicher zuzugreifen.
Features
- Flexible Betriebsmodi
- Hochfrequenter Lese- und Schreibvorgang
- Integrierter Schreibschutz
- Hohe Zuverlässigkeit
