N01S818HAT22I | onsemi
SRAM, 1 Mbit, TSSOP-8, onsemi N01S818HAT22I
NCNR (nicht stornierbar / nicht retournierbar)
EEPROM-Speicher, N01S818HAT22I, onsemi
Das serielle SRAM-Baustein von onsemi umfasst einen integrierten Speicherbaustein mit einem seriell zugreifbaren statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM) mit einer Kapazität von 1 MB, der intern in 128 K Wörter à 8 Bit organisiert ist. Der Baustein wurde unter Verwendung der fortschrittlichen CMOS-Technologie von onsemi entwickelt und hergestellt, um sowohl eine hohe Geschwindigkeit als auch einen geringen Stromverbrauch zu gewährleisten. Der Baustein arbeitet mit einem einzigen Chip-Select-Eingang (CS) und verwendet ein einfaches SPI-Protokoll (Serial Peripheral Interface). Im SPI-Modus wird eine einzige Daten-Ein- (SI) und Daten-Aus-Leitung (SO) zusammen mit dem Takt (SCK) verwendet, um auf Daten innerhalb des Bausteins zuzugreifen. Im DUAL-Modus werden zwei multiplexierte Daten-Ein-/Daten-Aus-Leitungen (SIO0-SIO1) verwendet, und im QUAD-Modus werden vier multiplexierte Daten-Ein-/Daten-Aus-Leitungen (SIO0-SIO3) zusammen mit dem Takt verwendet, um auf den Speicher zuzugreifen.
Features
- Flexible Betriebsmodi
- Hochfrequenter Lese- und Schreibvorgang
- Integrierter Schreibschutz
- Hohe Zuverlässigkeit
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TSSOP-8 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 1 Mbit | |
| Spannung | 1,7-2,2 V | |
| Taktfrequenz | 20 MHz | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TH |
| Zolltarifnummer | 85423275 |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |