CAV25512YE-GT3 | onsemi

EEPROM-Speicher, 512 Kbit, TSSOP-8, onsemi CAV25512YE-GT3

Bestellnr.: 64S5288
HTN:
CAV25512YE-GT3
CAV25512YE-GT3 onsemi Speicher ICs
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EEPROM-Speicher, CAV25512YE-GT3, onsemi

Der CAV25512YE-GT3 ist ein EEPROM Serial 512-Kb SPI - Automotive Grade-Baustein, der intern als 64Kx8 Bit organisiert ist. Er verfügt über einen 128-Byte-Seiten-Schreibpuffer und unterstützt das Serial Peripheral Interface (SPI)-Protokoll. Der Baustein wird über einen Chipauswahl (CS)-Eingang aktiviert. Darüber hinaus sind die erforderlichen Bussignale Takteingang (SCK), Dateneingang (SI) und Datenausgang (SO). Das Gerät verfügt über einen Software- und Hardware-Schreibschutz, einschließlich teilweisem und vollständigem Array-Schutz. Dank On-Chip-ECC (Error Correction Code) eignet sich das Gerät für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen.

Features

  • Zusätzliche Identifikationsseite mit dauerhaftem Schreibschutz
  • Selbstgesteuerter Schreibzyklus
  • Hardware- und Softwareschutz
  • Schreibschutz blockieren
  • Niedrigleistungs-CMOS-Technologie

Anwendungen

  • Türmodul
  • Sitzsteuergerät
  • Lüftersteuergerät
  • Lichtmanagementeinheit
  • Motor-Start/Stopp-Steuergerät
  • Körpercomputer & Energieverwaltungseinheit
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TSSOP-8
Montage SMD
Speichergröße 512 Kbit
Spannung 2,5-5,5 V
Taktfrequenz 10 MHz
Technologie EEPROM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 125 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland PH
Zolltarifnummer 85423275
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja