FDS8880 | onsemi
onsemi N-Kanal Power Trench MOSFET, 30 V, 11.6 A, SOIC-8, FDS8880
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,8568 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 2 Wochen
Strom Graben, FDS8880, onsemi
Der FDS8880 wurde speziell zur Verbesserung des Gesamtwirkungsgrads von DC/DC-Wandlern entwickelt, die entweder synchrone oder konventionelle schaltende PWM-Controller verwenden. Er wurde für niedrige Gate-Ladung, niedrigen rDS(ON) und schnelle Schaltgeschwindigkeit optimiert.
Features
- Niedrige Gate-Ladung
- Hohe Leistung und Strombelastbarkeit
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 10 mΩ | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 30 V | |
| Gehäuse | SOIC-8 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.3x10<sup>-8</sup> C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 11.6 A | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |