FDMS8D8N15C | onsemi

onsemi N-Kanal Shielded PowerGate Trench MOSFET, 150 V, 85 A, Power56, FDMS8D8N15C

Bestellnr.: 54S1014
EAN: 4099879034717
HTN:
FDMS8D8N15C
Herstellerserien: FDMS8
FDMS8D8N15C onsemi MOSFETs
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
2,5228 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: Auf Anfrage
Gesamtpreis:
7.568,40 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
3000 Stk.
2,5228 €

Strom Graben, FDMS8D8N15C, onsemi

Die FDMS8D8N15C wird mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Verfahren hergestellt, das die Shielded-Gate-Technologie beinhaltet. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung mit der klassenbesten Weichkörperdiode beizubehalten.

Technische Daten
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 150 °C
max. Spannung 150 V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8.8 mΩ
Gehäuse Power56
Gate Charge Qg @10V (nC) 3.8x10<sup>-8</sup> C
Ausführung N-Kanal
Montage SMD
max. Strom 85 A
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 3
Compliance
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja