FDMS8D8N15C | onsemi
onsemi N-Kanal Shielded PowerGate Trench MOSFET, 150 V, 85 A, Power56, FDMS8D8N15C
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Strom Graben, FDMS8D8N15C, onsemi
Die FDMS8D8N15C wird mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Verfahren hergestellt, das die Shielded-Gate-Technologie beinhaltet. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung mit der klassenbesten Weichkörperdiode beizubehalten.
Technische Daten
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 150 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 8.8 mΩ | |
| Gehäuse | Power56 | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.8x10<sup>-8</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 85 A |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |