FDMS004N08C | onsemi
onsemi N-Kanal Shielded Gate Trench MOSFET, 80 V, 126 A, SO-8-FL/Power56, FDMS004N08C
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N-Kanal-MOSFET, FDMS004N08C, ON Semiconductor
Features
- MOSFET-Technologie mit abgeschirmtem Gate
- MAX RDSon = 4.0 mOhm @ VGS=10V, ID=44A
- 50% geringere Qrr als andere MOSFET-Anbieter
- Geringeres Schaltgeräusch/EMI
- MSL 1 Robustes Verpackungsdesign
- 100% UIL-getestet
- RoHS-Kompatibel
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 125 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4 mΩ | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 80 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.5x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Strom | 126 A | |
| Gehäuse | SO-8-FL/Power56 |
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Logistik
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |