FDBL0150N80 | onsemi
onsemi N-Kanal Power Trench MOSFET, 80 V, 300 A, TO-LL, FDBL0150N80
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Strom Graben, FDBL0150N80, onsemi
N-Kanal PowerTrench MOSFET, 80 V, 300 A, 1,4 mΩ
Features
- UIS-Fähigkeit
- RoHS-konform
Anwendungen
- Industrieller Motorantrieb
- Industrielle Stromversorgung
- Industrielle Automatisierung
- Batteriebetriebenes Werkzeug
- Solar-Wechselrichter
- Speicherung von Energie
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 429 W | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.72x10<sup>-7</sup> C | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 300 A | |
| Gehäuse | TO-LL | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.4 mΩ | |
| max. Spannung | 80 V |
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Logistik
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.000 Stück |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |