FDB0190N807L | onsemi

onsemi N-Kanal Power Trench MOSFET, 80 V, 270 A, D2PAK-7L, FDB0190N807L

Bestellnr.: 54S1023
EAN: 4099879034809
HTN:
FDB0190N807L
Herstellerserien: FDB019
FDB0190N807L onsemi MOSFETs
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N-Kanal-MOSFET, FDB0190N807L, ON Semiconductor

Features

  • Max RDSon = 1,7 mOhm @ VHGS= 10V, ID= 34A
  • Schnelles Umschalten; niedrige Gate-Ladung
  • Hohe Leistung und Strombelastbarkeit
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
max. Spannung 80 V
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.78x10<sup>-7</sup> C
Verlustleistung W (DC) 250 W
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 1.7 mΩ
max. Strom 270 A
Ausführung N-Kanal
min. Temperatur -55 °C
max. Temperatur 175 °C
Gehäuse D2PAK-7L
Montage SMD
Logistik
Merkmal Wert
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 800 Stück
MSL MSL 3
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja