FDB0190N807L | onsemi
onsemi N-Kanal Power Trench MOSFET, 80 V, 270 A, D2PAK-7L, FDB0190N807L
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N-Kanal-MOSFET, FDB0190N807L, ON Semiconductor
Features
- Max RDSon = 1,7 mOhm @ VHGS= 10V, ID= 34A
- Schnelles Umschalten; niedrige Gate-Ladung
- Hohe Leistung und Strombelastbarkeit
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | SMD | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.7 mΩ | |
| Verlustleistung W (DC) | 250 W | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.78x10<sup>-7</sup> C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 80 V | |
| Gehäuse | D2PAK-7L | |
| max. Strom | 270 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 800 Stück |
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |