2N7000 | onsemi
onsemi N-Kanal Power MOSFET, 60 V, 200 mA, TO-92, 2N7000
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MOSFET NFET en Reihe 2N.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): 2N7000, TO92, Fairchild Semiconductor
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 400 mW | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 5 Ω | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 60 V | |
| max. Strom | 200 mA | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 1.2 Ω | |
| Gehäuse | TO-92 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 10.000 Stück |
| Ursprungsland | HK |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |