NSM4002MR6T1G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 500 mA, 40 V, SMD, NSM4002MR6T1G
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Transistor, NSM4002MR6T1G, ON Semiconductor
Der NSM4002MR6 enthält zwei einzelne NPN-Transistoren. Die Basis des Q2-NPN-Transistors ist intern mit dem Kollektor des Q1-NPN-Transistors verbunden. Dieses Gerät wurde entwickelt, um eine diskrete Lösung zu ersetzen, die für die Bereitstellung eines konstanten Stroms üblich ist, indem diese beiden Komponenten in ein einziges Gerät integriert werden.
Features
- Vereinfacht den Schaltungsentwurf
- Reduziert den Platz auf der Platine
- Reduziert die Anzahl der Komponenten
- Halogenfrei und RoHS-konform
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W | |
| Montage | SMD | |
| Kollektorstrom | 500 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 300 MHz | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Sättigungsspannung | 0.3 V |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |