NJW21193G | onsemi
Bipolartransistor, PNP, 16 A, 250 V, THT, TO-3P, NJW21193G
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PNP-Leistungstransistor, NJW21193G, onsemi
Dieser Silizium-Leistungstransistor ist speziell für Hochleistungs-Audioausgänge, Plattenkopfpositionierer und lineare Anwendungen konzipiert.
Features
- Hohe DC-Stromverstärkung
- Ausgezeichnete Verstärkungslinearität
- Außergewöhnlich sicherer Arbeitsbereich
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 20 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 250 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 200 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 80 mA | |
| Kollektorstrom | 16 A | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 1.4 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 400 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Gehäuse | TO-3P |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85419000 |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |