MMBT3904LT1G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 40 V, SMD, SOT-23, MMBT3904LT1G
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Transistor, MMBT3904LT1G, ON SemiconductorS
Der MMBT3904LTT1G ist ein bipolarer NPN-Siliziumtransistor, der für den Einsatz in linearen, oberflächenmontierbaren und Schaltanwendungen mit geringerer Leistung entwickelt wurde.
Features
- Diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
- S-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
| Montage | SMD | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Kollektorstrom | 200 mA | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.225 W | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Ausführung | NPN | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |