MJE13007G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 8 A, 400 V, THT, TO-220, MJE13007G
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NPN-Leistungstransistor, MJE13007G, onsemi
Der MJE13007G ist für induktive Hochspannungsschaltkreise mit hoher Geschwindigkeit konzipiert, bei denen die Abfallzeit kritisch ist. Er eignet sich besonders für 115- und 220-V-Schaltanwendungen wie Schaltregler, Wechselrichter, Motorsteuerungen, Magnet-/Relaistreiber und Ablenkschaltungen.
Technische Daten
| Max Gleichstromverstärkung | 40 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 8 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 400 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| Kollektorstrom | 8 A | |
| Verlustleistung VA (AC) | 80 W | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85419000 |
| Ursprungsland | IN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |