MJD45H11T4G | onsemi
Bipolartransistor, PNP, 8 A, 80 V, SMD, TO-252, MJD45H11T4G
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Transistor, MJD45H11T4G, ON Semiconductor
Der MJD45H11T4G ist ein bipolarer 8A-PNP-Leistungstransistor, der für allgemeine Leistungs- und Schaltausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern entwickelt wurde.
Features
- Elektrisch ähnlich der beliebten Serie D44H/D45H
- Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
- Komplementäre Paare vereinfachen Konstruktionen
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 80 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 20 W | |
| Nennstrom | 8 A | |
| Montage | SMD | |
| Kollektorstrom | 8 A | |
| Gehäuse | TO-252 | |
| Transitfrequenz fTmin | 90 MHz | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA | |
| Sättigungsspannung | 1 V |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |