MJ11016G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 30 A, 120 V, THT, TO-3, MJ11016G
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Hochstromtransistor, MJ11016G, onsemi
Dieser komplementäre Hochstrom-Siliziumtransistor ist für den Einsatz als Ausgangsbauelement in komplementären Allzweckverstärkeranwendungen vorgesehen.
Features
- Hohe DC-Stromverstärkung
- Monolithische Konstruktion mit eingebautem Basis-Emitter-Nebenschlusswiderstand
Technische Daten
| Verlustleistung VA (AC) | 200 W | |
| Kollektorstrom | 30 A | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | TO-3 | |
| Sättigungsspannung | 3 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Min Gleichstromverstärkung | 200 mA | |
| Nennstrom | 30 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 120 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 120 V | |
| Montage | THT |
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Logistik
| Originalverpackung | Tray mit 100 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | US |
Compliance
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |