FJT44TF | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 300 mA, 400 V, SMD, SOT-223, FJT44TF
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Transistor, FJT44TF, ON Semiconductor
NPN-Epitaxie-Silizium-Transistor
Features
- Hochspannungstransistor
Technische Daten
| Sättigungsspannung | 750 mV | |
| Montage | SMD | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 400 V | |
| Ausführung | NPN | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 50 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung VA (AC) | 2 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 200 mA | |
| Gehäuse | SOT-223 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 500 V | |
| Kollektorstrom | 300 mA |
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Logistik
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |