BCX19LT1G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 500 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BCX19LT1G
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NPN-Transistor, BCX19LT1G, onsemi
Dieser bipolare NPN-Transistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht, das für Oberflächenmontageanwendungen mit geringerem Stromverbrauch ausgelegt ist.
Features
- Halogenfrei
- RoHS-konform
Technische Daten
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Max Gleichstromverstärkung | 600 mA | |
| Sättigungsspannung | 620 mV | |
| Kollektorstrom | 500 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.225 W | |
| Montage | SMD | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| Ausführung | NPN |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | MY |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |