BCP53-10T1G | onsemi
Bipolartransistor, PNP, 1.5 A, -80 V, SMD, SOT-223, BCP53-10T1G
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PNP-Silizium-Epitaxie-Transistor, BCP53-10T1G, onsemi
Dieser PNP-Silizium-Epitaxie-Transistor ist für den Einsatz in Audioverstärkeranwendungen vorgesehen. Das Bauteil ist im SOT-223-Gehäuse untergebracht, das für Oberflächenmontageanwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Min Gleichstromverstärkung | 63 mA | |
| Kollektorstrom | 1.5 A | |
| Ausführung | PNP | |
| Max Gleichstromverstärkung | 160 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 50 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.5 W | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -100 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -80 V | |
| Gehäuse | SOT-223 |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |