BC849BLT1G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC849BLT1G
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NPN-Transistor, BC849BLT1G, onsemi
Dieser bipolare NPN-Transistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht, das für Oberflächenmontageanwendungen mit geringerem Stromverbrauch ausgelegt ist.
Anwendungen
- Verpolungsschutz
- Schutz der Datenleitungen
- Induktiver Lastschutz
- ESD-Schutz
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung VA (AC) | 0.225 W | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 30 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Ausführung | NPN | |
| Sättigungsspannung | 600 mV | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | PH |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |