BC849BLT1G | onsemi

Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC849BLT1G

Bestellnr.: 12S6275
EAN: 4099879027290
HTN:
BC849BLT1G
Herstellerserien: BC849
BC849BLT1G onsemi Bipolar Transistoren
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NPN-Transistor, BC849BLT1G, onsemi

Dieser bipolare NPN-Transistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht, das für Oberflächenmontageanwendungen mit geringerem Stromverbrauch ausgelegt ist.

Anwendungen

  • Verpolungsschutz
  • Schutz der Datenleitungen
  • Induktiver Lastschutz
  • ESD-Schutz
Technische Daten
Transitfrequenz fTmin 100 MHz
Kollektorstrom 100 mA
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 30 V
Ausführung NPN
Verlustleistung VA (AC) 0.225 W
Montage SMD
Gehäuse SOT-23
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 30 V
Sättigungsspannung 600 mV
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland PH
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja