BC849BLT1G | onsemi

Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC849BLT1G

Bestellnr.: 12S6275
EAN: 4099879027290
HTN:
BC849BLT1G
Herstellerserien: BC849
BC849BLT1G onsemi Bipolar Transistoren
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NPN-Transistor, BC849BLT1G, onsemi

Dieser bipolare NPN-Transistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht, das für Oberflächenmontageanwendungen mit geringerem Stromverbrauch ausgelegt ist.

Anwendungen

  • Verpolungsschutz
  • Schutz der Datenleitungen
  • Induktiver Lastschutz
  • ESD-Schutz
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Verlustleistung VA (AC) 0.225 W
min. Temperatur -55 °C
Transitfrequenz fTmin 100 MHz
Gehäuse SOT-23
Kollektorstrom 100 mA
max. Temperatur 150 °C
Ausführung NPN
Sättigungsspannung 600 mV
Montage SMD
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 30 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 30 V
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Ursprungsland PH
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15