2N6109G | onsemi

Name: Bipolartransistor, PNP, -7 A, -50 V, THT, TO-220, 2N6109G
Brand: onsemi
SKU: 28S5000
Price: 0.70 EUR
Availability: InStock

Bipolartransistor, PNP, -7 A, -50 V, THT, TO-220, 2N6109G

Bestellnr.: 28S5000

EAN: 4099879030559

HTN:

2N6109G

Herstellerserien: 2N6

Abbildung kann abweichen

Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-220

Ausführung PNP

Sättigungsspannung -3.5 V

Kollektorstrom -7 A

Vom Hersteller nicht mehr lieferbar

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Produktbeschreibung

Dieser komplementäre Silizium-Kunststoff-Leistungstransistor ist für den Einsatz in allgemeinen Verstärker- und Schaltanwendungen vorgesehen.

Features

Technische Daten

	Ausführung	PNP
	Gehäuse	TO-220
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	-60 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	-50 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	THT
	Sättigungsspannung	-3.5 V
	Transitfrequenz fTmin	10 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	40 W
	Kollektorstrom	-7 A
	Max Gleichstromverstärkung	150 mA
	Min Gleichstromverstärkung	30 mA