BZV55-C4V7,115 | NEXPERIA
Z-Diode, 5 V, 500 mW, DO-213AC, BZV55-C4V7,115
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Zener-Dioden 500 mW Typ NXP BZV55.
Verlustleistung: 500 mW, Gehäuse: SOD80C.
Technische Merkmale (Typ, Zenerspannung): BZV55/C4V7, 4,7 V
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 500 mW | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -65 °C | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 200 °C | |
| Gehäuse | DO-213AC | |
| Durchlassspannung | 0.9 V | |
| Länge | 3.7 mm | |
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Durchmesser | 1.6 mm | |
| Durchlassstrom | 25 mA | |
| Ausführung | Zener-Diode | |
| Zenerspannung | 5 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Substanz Beschreibung | Bortrioxid, Bleimonoxid (Bleioxid), Blei |
| SVHC frei | Nein |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |