BZT52H-B5V1,115 | NEXPERIA
Zener-Diode, 5.1 V, 830 mW, SOD-123F, BZT52H-B5V1,115
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Zener-Dioden 375 mW Typ NXP BZT52H...B.
Mit niedrigem Differential-Widerstand, AEC-Q101 qualifiziert; Verlustleistung:; 375 mW, Gehäuse: SOD123F, Umgebungstemperatur: –65 bis +150 °C.
Technische Merkmale (Typ, Zenerspannung, Betriebsspannungsbereich,): BZT52H-B5V1, 5,1 V, 5,0 bis 5,2 V
Technische Daten
Anzahl der Dioden | 1 | |
Ausführung | Zener-Diode | |
Durchlassspannung | 0.9 V | |
Durchlassstrom | 25 mA | |
Gehäuse | SOD-123F | |
Länge | 2.7 mm | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sperrschichttemperatur (max.) | 150 °C | |
Verlustleistung W (DC) | 830 mW | |
Zenerspannung | 5.1 V |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85411000 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
SVHC frei | Ja |