2N7002HR | NEXPERIA
MOSFET 2N7002HR
Bestellnr.: 30S1000
HTN:
2N7002HR
NCNR (nicht stornierbar / nicht retournierbar)
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,0466 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
N-Kanal-Trench-MOSFET, 2N7002HR, NEXPERIA
N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device) unter Verwendung der Trench-MOSFET-Technologie.
Features
- Logikpegel-kompatibel
- Sehr schnelles Schalten
- Trench-MOSFET-Technologie
Anwendungen
- Relais-Treiber
- Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
- Low-Side-Lastschalter
- Schaltkreise
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | N-Kanal, AEC-Q101 qualifiziert | |
| max. Spannung | 60 V | |
| max. Strom | 360 mA | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1600 mΩ | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Verlustleistung W (DC) | 420 mW | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |