PMBT5550,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 300 mA, 140 V, SMD, SOT-23, PMBT5550,215
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NPN-Hochspannungstransistor, PMBT5550,215, NXP
NPN-Hochspannungstransistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse
Features
- Niedriger Strom (max. 300 mA)
- Niederspannung (max. 140 V)
Anwendungen
- Telefonie
Technische Daten
| Transitfrequenz fTmin | 300 MHz | |
| Kollektorstrom | 300 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 140 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Nennstrom | 300 mA | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Min Gleichstromverstärkung | 60 mA | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 160 V | |
| Sättigungsspannung | 150 mV | |
| min. Temperatur | -65 °C |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | MY |
Compliance
| Substanz Beschreibung | Bleimonoxid [Blei(II)oxid] |
| SVHC frei | Nein |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |