PBSS5350X,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -3 A, -50 V, SMD, TO-243AA, PBSS5350X,115
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PNP-Transistor, PBSS5350X,115, NEXPERIA
PNP-Transistor mit niedriger VCEsat in einem SOT89-Kunststoffgehäuse.
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Höherer Wirkungsgrad führt zu geringerer Wärmeentwicklung
- Reduzierte Anforderungen an die Leiterplatte
- AEC-Q101 qualifiziert
Anwendungen
- Energieverwaltung
- Peripherie-Treiber
Technische Daten
| Sättigungsspannung | -390 mV | |
| Montage | SMD | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -50 V | |
| Ausführung | PNP | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 200 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.55 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
| Gehäuse | TO-243AA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -50 V | |
| Kollektorstrom | -3 A |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |