PBSS306PX,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -3.7 A, -100 V, SMD, TO-243AA, PBSS306PX,115
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PNP-Transistor, PBSS306PX,115, NEXPERIA
PNP-Transistor mit niedriger VCEsat, bahnbrechend in der Kleinsignaltechnik (BISS), in einem kleinen SOT89 (SC-62/TO-243)-Kunststoffgehäuse mit flachen Anschlüssen für oberflächenmontierte Bauteile (SMD).
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Kollektorstromfähigkeit
- Hohe Kollektorstromverstärkung
- Hohe Effizienz durch geringere Wärmeentwicklung
Anwendungen
- Automobilanwendungen
- Dünnfilmtransistor (TFT)-Hintergrundbeleuchtungsinverter
- Hochspannungsmotorsteuerung
- Hochspannungs-Leistungsschalter
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-243AA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -100 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -100 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | -300 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.6 W | |
| Kollektorstrom | -3.7 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 200 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
