BST61,115 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -1 A, -60 V, SMD, SOT-89, BST61,115
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PNP-Transistor, BST61,115, NEXPERIA
PNP-Darlington-Transistor in einem SOT89 (SC-62)-Kunststoffgehäuse mit flachen Anschlüssen für die Oberflächenmontage.
Features
- Integrierte Diode und Widerstand
- AEC-Q101 qualifiziert
Anwendungen
- Druckhammer
- Magnetspule
- Relais- und Lampenansteuerung
Technische Daten
| Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
| Kollektorstrom | -1 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -60 V | |
| Ausführung | PNP | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.3 W | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | SOT-89 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -80 V | |
| Sättigungsspannung | -1.3 V | |
| min. Temperatur | -65 °C |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85419000 |
| Ursprungsland | HK |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Nein |