BF821,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -50 mA, -300 V, SMD, SOT-23, BF821,215
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PNP-Transistor, BF821,215, NEXPERIA
PNP-Transistor in einem kleinen oberflächenmontierten SOT23-Kunststoffgehäuse (SMD).
Features
- AEC-Q101 qualifiziert
Anwendungen
- Telefonie und professionelle Kommunikationsgeräte
Technische Daten
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -300 V | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Sättigungsspannung | -800 mV | |
| Kollektorstrom | -50 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -300 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Montage | SMD | |
| Min Gleichstromverstärkung | 50 mA | |
| Ausführung | PNP | |
| Transitfrequenz fTmin | 60 MHz |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | HK |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |