BCW61D,215 | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -100 mA, -32 V, SMD, TO-236AB, BCW61D,215
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PNP-Transistor, BCW61D,215, NEXPERIA
PNP-Transistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.
Features
- AEC-Q101 qualifiziert
Anwendungen
- Allgemeine Schalt- und Verstärkungsfunktionen
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-236AB | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -32 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -32 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | -550 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Kollektorstrom | -100 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 630 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 380 mA |
Download
Logistik
| Ursprungsland | HK |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |