BCP55,135 | NEXPERIA
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, SMD, TO-261, BCP55,135
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NPN-Leistungstransistor, BCP55,135, NEXPERIA
NPN-Transistoren mittlerer Leistung in einem kleinen oberflächenmontierten SOT223 (SC-73)-Kunststoffgehäuse (SMD).
Features
- Hoher Strom
- Hohe Verlustleistungsfähigkeit
- Drei Stromverstärkungsoptionen
Anwendungen
- Energieverwaltung
- Batteriebetriebene Geräte
- Verstärker
- Niedrig-Seiten-Schalter
- Lineare Spannungsregler
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| Max Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 63 mA | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | TO-261 | |
| Ausführung | NPN | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Nennstrom | 1 A | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.65 W | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |