BC859B | NEXPERIA

Bipolartransistor, PNP, -100 mA, -30 V, SMD, SOT-23, BC859B

Bestellnr.: 12S6292
EAN: 4099879027399
HTN:
BC859B
Herstellerserien: BC859
BC859B NEXPERIA Bipolar Transistoren
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PNP-Transistor, BC859B, NEXPERIA

PNP-Transistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.

Features

  • Niedriger Strom
  • Niederspannung

Anwendungen

  • Rauscharme Eingangsstufen von Tonfrequenzgeräten
Technische Daten
Max Gleichstromverstärkung 475 mA
Transitfrequenz fTmin 100 MHz
Kollektorstrom -100 mA
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo -30 V
Ausführung PNP
Verlustleistung VA (AC) 0.25 W
Min Gleichstromverstärkung 220 mA
Montage SMD
Gehäuse SOT-23
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo -30 V
Sättigungsspannung -650 mV
min. Temperatur -65 °C
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland PH
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja