BC859B | NEXPERIA
Bipolartransistor, PNP, -100 mA, -30 V, SMD, SOT-23, BC859B
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PNP-Transistor, BC859B, NEXPERIA
PNP-Transistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse.
Features
- Niedriger Strom
- Niederspannung
Anwendungen
- Rauscharme Eingangsstufen von Tonfrequenzgeräten
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Kollektorstrom | -100 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -30 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -30 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Min Gleichstromverstärkung | 220 mA | |
| Ausführung | PNP | |
| Sättigungsspannung | -650 mV | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Max Gleichstromverstärkung | 475 mA | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |