DSEI8-06AS-TRL | Littelfuse

Fast Recovery Epitaxial Diode, 600 V (RRM), 8 A, TO-263AB, DSEI8-06AS-TRL

Bestellnr.: 74P1414
EAN: 4099891782795
HTN:
DSEI8-06AS-TRL
DSEI8-06AS-TRL Littelfuse Schottky Dioden
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Erholungsdiode, DSEI8-06AS-TRL, Littelfuse

Epitaxiediode mit schneller Erholung und weicher Rückwärtserholung für niedrige EMI/RFI, niedrigem Leckstrom und Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb.

Features

  • Planarer passivierter Chip
  • Sehr kurze Erholungszeit
  • Verbessertes thermisches Verhalten
  • Sehr niedriger Irm-Wert
  • Sehr weiches Rückstellverhalten
  • Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode
  • Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter
  • Industriestandard-Kontur
  • RoHS-konform
  • Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0

Anwendungen

  • Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte
  • Antisaturierungsdiode
  • Snubber-Diode
  • Freilaufende Diode
  • Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS)
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
min. Temperatur -40 °C
Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) 600 V
Sperrschichttemperatur (min.) -40 °C
Anzahl der Dioden 1
Durchlassstrom 8 A
Gehäuse TO-263AB
max. Temperatur 125 °C
Ausführung Fast Recovery Epitaxial Diode
Kapazität 5 pF
Montage SMD
Sperrschichttemperatur (max.) 150 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland PH
Zolltarifnummer 85411000
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15