DSEI120-12AZ-TUB | Littelfuse
Fast Recovery Epitaxial Diode, 1200 V (RRM), 109 A, TO-268AA, DSEI120-12AZ-TUB
Bestellnr.: 74P1372
EAN: 4099891782375
HTN:
DSEI120-12AZ-TUB
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Erholungsdiode, DSEI120-12AZ-TUB, Littelfuse
Epitaxiediode mit schneller Erholung und weicher Rückwärtserholung für niedrige EMI/RFI, niedrigem Leckstrom und Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb.
Features
- Planarer passivierter Chip
- Sehr kurze Erholungszeit
- Verbessertes thermisches Verhalten
- Sehr niedriger Irm-Wert
- Sehr weiches Rückstellverhalten
- Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode
- Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter
- Industriestandard-Kontur
- RoHS-konform
- Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0
Anwendungen
- Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte
- Antisaturierungsdiode
- Snubber-Diode
- Freilaufende Diode
- Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
| Sperrschichttemperatur (max.) | 150 °C | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 1200 V | |
| Kapazität | 56 pF | |
| max. Temperatur | 125 °C | |
| Ausführung | Fast Recovery Epitaxial Diode | |
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | TO-268AA | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -40 °C | |
| Durchlassstrom | 109 A | |
| min. Temperatur | -40 °C |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |