DSEE55-24N1F | Littelfuse

High Performance Fast Recovery Diode, 1200 V (RRM), 60 A, i4-Pac, DSEE55-24N1F

Bestellnr.: 74P1369
EAN: 4099891782344
HTN:
DSEE55-24N1F
DSEE55-24N1F Littelfuse Schottky Dioden
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
34,4029 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 40 Wochen
Gesamtpreis:
8.600,73 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
250 Stk.
34,4029 €

Erholungsdiode, DSEE55-24N1F, Littelfuse

Hochleistungsdiode mit schneller Rückspeisung und einer Isolationsspannung von 3000 V, weicher Rückspeisung für geringe EMI/RFI, sehr niedrigem Leckstrom und Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb.

Features

  • Planarer passivierter Chip
  • Sehr kurze Erholungszeit
  • Verbessertes thermisches Verhalten
  • Sehr niedriger Irm-Wert
  • Sehr weiches Rückstellverhalten
  • Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode
  • Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter
  • Industriegerechte Kontur
  • RoHS-konform
  • Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0
  • Lötstifte für PCB-Montage
  • Rückseite: DCB-Keramik
  • Geringes Gewicht
  • Erweiterte Leistungszyklen

Anwendungen

  • Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte
  • Antisaturierungsdiode
  • Snubber-Diode
  • Freilaufende Diode
  • Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS)
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Technische Daten
Sperrschichttemperatur (max.) 175 °C
Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) 1200 V
Kapazität 48 pF
max. Temperatur 150 °C
Ausführung High Performance Fast Recovery Diode
Montage THT
Gehäuse i4-Pac
Sperrschichttemperatur (min.) -55 °C
Durchlassstrom 60 A
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Zolltarifnummer 85411000
Ursprungsland PH
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja