MMIX1H60N150V1 | Littelfuse
Littelfuse MOS Gated Thyristor, SMPD, MMIX1H60N150V1
Bestellnr.: 74P1135
EAN: 4099891780005
HTN:
MMIX1H60N150V1
Einzelpreis (€ / Stk.)
56,5012 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 39 Wochen **
Gesamtpreis:
16.950,36 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
300 Stk.
56,5012 €
Thyristor, MMIX1H60N150V1, LITTELFUSE
MOS-Gate-Thyristor mit sehr hoher Strombelastbarkeit und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf.
Features
- Siliziumchip auf direkt kupfergebundenem Substrat
- Isolierte Montagefläche
- Antiparallel-Diode
Anwendungen
- Kapazitive Entladungsschaltungen
- Zündschaltungen
- Festkörper-Überspannungsschutz
Technische Daten
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.8x10<sup>-7</sup> C | |
| Gehäuse | SMPD | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 446 W |
Download
Logistik
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |