MMIX1F420N10T | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal GigaMOS Trench HiperFETT Power MOSFET, 100 V, 334 A, SMPD, MMIX1F420N10T
Bestellnr.: 74P1132
EAN: 4099891779979
HTN:
MMIX1F420N10T
Einzelpreis (€ / Stk.)
43,4112 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 25 Wochen
Gesamtpreis:
13.023,36 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
300 Stk.
43,4112 €
MOSFET, MMIX1F420N10T, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Siliziumchip auf direkt kupfergebundenem Substrat
- Isoliertes Substrat
- Ausgezeichnete thermische Übertragung
- Erhöhte Temperatur- und Leistungswechselfähigkeit
- Sehr hohe Strombelastbarkeit
- Schnelle intrinsische Diode
- Sehr niedriger RDS(on)
Anwendungen
- DC-DC-Wandler und Offline-USV
- Primär - Seitenschalter
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 680 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.6 mΩ | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| max. Spannung | 100 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.7x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Strom | 334 A | |
| Gehäuse | SMPD |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |