IXTY4N65X2 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Power MOSFET, 650 V, 4 A, TO-252, IXTY4N65X2
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MOSFET, IXTY4N65X2, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriger RDS(ON) und QG
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-DC-Wandler
- PFC-Schaltungen
- AC- und DC-Motorantriebe
- Robotik und Servo-Steuerungen
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 80 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 850 mΩ | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 650 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.3x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Strom | 4 A | |
| Gehäuse | TO-252 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |