IXTA3N100P | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Standard Power MOSFET, 1000 V, 3 A, TO-263, IXTA3N100P
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MOSFET, IXTA3N100P, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriger RDS(ON) und QG
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-DC-Wandler
- Laser-Treiber
- AC- und DC-Motorantriebe
- Robotik und Servo-Steuerungen
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 125 W | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.9x10<sup>-8</sup> C | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 3 A | |
| Gehäuse | TO-263 | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.8 Ω | |
| max. Spannung | 1000 V |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |