IXTA06N120P | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal Power MOSFET, 1200 V, 0.6 A, TO-263, IXTA06N120P
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MOSFET, IXTA06N120P, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriges QG
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- AC- und DC-Motorantriebe
- Entladungsschaltungen in Lasern, Funkenzündern, RF-Generatoren
- Hochspannungsimpulsstromanwendungen
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 42 W | |
| max. Strom | 0.6 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.33x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| max. Spannung | 1200 V | |
| Gehäuse | TO-263 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 34 Ω | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |