IXFR80N60P3 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 600 V, 48 A, TO-247I, IXFR80N60P3
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MOSFET, IXFR80N60P3, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Siliziumchip auf direktem Kupferbond
- Isolierte Montagefläche
- Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Niedriges QG
- Niedriger RDS(on)
- Niedrige Drain-to-Tab-Kapazität
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- AC-Motorantriebe
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 540 W | |
| max. Strom | 48 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.9x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | THT | |
| max. Spannung | 600 V | |
| Gehäuse | TO-247I | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 85 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |