IXFR64N60P | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 600 V, 36 A, TO-247I, IXFR64N60P
Einzelpreis (€ / Stk.)
17,2907 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 46 Wochen
Gesamtpreis:
5.187,21 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
300 Stk.
17,2907 €
MOSFET, IXFR64N60P, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Siliziumchip auf Direct-Copper-Bond (DCB) Substrat
- Isolierte Montagefläche
- Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
- Dynamischer dv/dt-Wert
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Niedriges QG
- Niedriger RDS(on)
- Niedrige Drain-to-Tab-Kapazität
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- AC-Motorantriebe
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 36 A | |
| Montage | THT | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 105 mΩ | |
| max. Spannung | 600 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | TO-247I | |
| Verlustleistung W (DC) | 320 W |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |