IXFR15N100Q3 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 1000 V, 10 A, TO-247I, IXFR15N100Q3
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MOSFET, IXFR15N100Q3, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Siliziumchip auf Direct-Copper-Bond (DCB) Substrat
- Isolierte Montagefläche
- Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-Chopper
- Temperatur- und Beleuchtungssteuerung
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.4x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 10 A | |
| Montage | THT | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.2 Ω | |
| max. Spannung | 1000 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | TO-247I | |
| Verlustleistung W (DC) | 400 W |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |