IXFN80N50Q3 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 500 V, 63 A, SOT-227, IXFN80N50Q3
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MOSFET, IXFN80N50Q3, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
- miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schneller intrinsischer Gleichrichter
- Niedriger RDS(ON) und QG
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-Chopper
- Temperatur- und Beleuchtungssteuerung
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 63 A | |
| Montage | Schraubmontage | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 65 mΩ | |
| max. Spannung | 500 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | SOT-227 | |
| Verlustleistung W (DC) | 780 W |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |