IXFN80N50P | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 500 V, 66 A, SOT-227, IXFN80N50P
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MOSFET, IXFN80N50P, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- Schnelle intrinsische Diode
- Ungeklemmtes induktives Schalten (UIS) bewertet
- UL-anerkannt
- Isolierter Montagesockel
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.95x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 66 A | |
| Montage | Schraubmontage | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 65 mΩ | |
| max. Spannung | 500 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | SOT-227 | |
| Verlustleistung W (DC) | 700 W |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |