IXFN360N10T | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal GigaMOS Trench HiperFETT Power MOSFET, 100 V, 360 A, SOT-227, IXFN360N10T
Bestellnr.: 74P1039
EAN: 4099891779047
HTN:
IXFN360N10T
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MOSFET, IXFN360N10T, Littelfuse
IXFN360N10T eignet sich sowohl für hart schaltende als auch für resonante Anwendungen und bietet eine niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode.
Features
- Hohe Strombelastbarkeit
- Avalanche bewertet
- Niedrige Gehäuse-Induktivität
- Schnelle intrinsische Diode
- Leicht zu montieren
- Platzersparnis
- Hohe Leistungsdichte
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Gleichstrom-Chopper
- AC-Motorantriebe
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung W (DC) | 830 W | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.000000525 C | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | Schraubmontage | |
| max. Strom | 360 A | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | SOT-227 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.6 mΩ |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | KR |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |